Фундатори зародження та розвитку вітчизняної напівпровідникової галузі

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЦаренко О. М.
dc.contributor.authorРіжняк Р. Я.
dc.contributor.authorTsarenko O. M.
dc.contributor.authorRizhniak R. Ya.
dc.date.accessioned2025-12-23T07:53:08Z
dc.date.available2025-12-23T07:53:08Z
dc.date.issued2021
dc.descriptionЦаренко О. М. Фундатори зародження та розвитку вітчизняної напівпровідникової галузі / О. М. Царенко, Р. Я. Ріжняк // Історія науки і біографістика. – К. : Національна наукова сільськогосподарська бібліотека Національної академії аграрних наук України, 2021. – №4, 2021. – С. 276–297.
dc.description.abstractВ статті розкриваються результати просопографічного дослідження історії розвитку вітчизняної напівпровідникової електроніки. Теоретична та технологічна база вітчизняної напівпровідникової електроніки була закладена ще на початку 20-х років ХХ століття дослідженнями О. Г. Гольдмана. Наступні теоретико-практичні розвідки українських вчених проводилися на передових рубежах світових досягнень. Основна мета дослідження полягає у розкритті внеску вітчизняних вчених-фізиків у розвиток науково-технічних досліджень принципів роботи напівпровідникової електроніки. Фундаментальні дослідження з теорії напівпровідників були розпочаті на початку 30-х рр. ХХ ст., коли вийшла перша теоретична робота уродженця м. Єлисаветграда І.Є. Тамма, в якій передбачалося існування на поверхні кристалів особливих електронних станів, названих спочатку поверхневими, а потім «таммівськими». В статті досліджується творча діяльність чотирьох фундаторів напівпровідникової електроніки, життя та наукові розвідки яких була пов’язана з Україною, – Олександра Генріховича Гольдмана, Єлпідифора Анемподистовича Кирилова, Вадима Євгеновича Лашкарьова та Олександра Вікторовича Красилова. О. Г. Гольдман започаткував фізичні досліджень властивостей діелектриків і напівпровідників і відкрив явище фотополяризації діелектриків, дослідив і описав фотоелектричний ефект у напівпровідникових сонячних елементах та явище випрямлення в напівпровідниках, Є. А. Кирилов відкрив та дослідив тонку структуру спектра поглинання фотохімічно пофарбованого галоїдного срібла, В.Є. Лашкарьов, фактично, першим у світі відкрив явище p-n-переходу та зображення першої зонної діаграми p-n-переходу, дослідив ефект з фото-Е.Р.С. у закису міді, відкрив біполярну дифузію нерівноважних носіїв струму в напівпровідниках, О.В. Красилов створив перший у бувшому СРСР транзистор та перший зразок площинного сплавного германієвого транзистора, заклавши своїми дослідженнями основи технології виробництва мікросхем. Наукові розробки цих вчених та їх колективів заклали надійний фундамент виробництва напівпровідникових електронних приладів та їх застосування споживачами. The article reveals the results of the prosopographic study of the history of domestic semiconductor electronics. The theoretical and technological base of the domestic semiconductor electronics was laid in the early 20s of the twentieth century by a researcher O. H. Holdman. The next theoretical and practical investigations of the Ukrainian scientists were conducted at the forefront of the world achievements. The main purpose of the study is to reveal the contribution of the domestic physicists in the development of scientific and technical research on the principles of semiconductor electronics. A fundamental research on the theory of semiconductors was started in the early 30s of the twentieth century, when the first theoretical work of a native of Yelisavetgrad I.Ye. Tamm was released, that predicted the existence on the surface of the crystals of special electronic states, called superficial at first and then "Tamm’s". The article examines the creative activities of the four founders of semiconductor electronics, whose life and scientific research was associated with Ukraine – Oleksandr Henrikhovych Holdman, Yelpidyfor Anempodystovych Kyrylov, Vadym Yevhenovych Lashkaryov and Oleksandr Viktorovych Krasylov. O.H. Holdman initiated physical studies of the properties of dielectrics and semiconductors and discovered the phenomenon of photopolarization of dielectrics, investigated and described the photoelectric effect in semiconductor solar cells and the rectification phenomenon in semiconductors, Ye.A. Kyrylov discovered and investigated the fine structure of the absorption spectrum photochemically dyed silver halide, V.Ye. Lashkaryov, in fact, was the first in the world to discover the phenomenon of p-n junction and the image of the first band diagram of the p-n junction, studied the effect of photo-ERS. in copper oxide, discovered bipolar diffusion of nonequilibrium current carriers in semiconductors, O.V. Krasylov created the first transistor in the former USSR and the first example of a planar alloy germanium transistor, laying his research on the foundations of the chip production technology. The scientific developments of these scientists and their teams have laid a solid foundation for the production of semiconductor electronic devices and their use by consumers.
dc.identifier.issn07.00.07
dc.identifier.urihttps://rep.dnuvs.ukr.education/handle/123456789/4596
dc.publisherНаціональна наукова сільськогосподарська бібліотека Національної академії аграрних наук України
dc.titleФундатори зародження та розвитку вітчизняної напівпровідникової галузі
dc.title.alternativeFounders of the birth and development of the semiconductor industry
Файли
Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Фундатори зародження та розвитку вітчизняної напівпровідникової галузі.pdf
Розмір:
982.03 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed to upon submission
Опис:
Завантажити
Зібрання
Наукові публікації (Scientific publications)